発表者　　木村　健太（谷村研究室）
指導教官　　谷村　克己
Title: Emergence of p(2×2) on highly doped n-type Si(100) surfaces: A scanning tunneling microscopy and spectroscopy study


Abstract

Si (100) surfaces are the most important materials which support a silicon technology. A c(4×2) and p(2×2) phase have been proposed as the ground state structure of Si (001) at very low temperatures  and one of the strong interests in recent surface science is which is the true ground state structure. In determining the true ground state structure of Si (001) surface by low-temperature scanning tunneling microscopy (STM), authors discovered that it is possible that phase manipulation on between c(4×2) and p(2×2) by precise control of scanning conditions. In this presentation, I introduce the detail of phase manipulation and their discussion about this mechanism.


概要

Si(100)表面はシリコンテクノロジーを支える最も重要な材料である。極低温において安定に存在する基底構造としてc(4×2)とp(2×2)の2種類が提案されており、どちらが真の基底構造であるかは、最近の表面科学の大きな関心の１つであった。著者らは、極低温走査トンネル顕微鏡(STM)を用いてSi(100)表面の基底構造を決定する過程において、STMの操作条件を精密に制御することにより、c(2×2)とp(2×2)のフェイスマニピュレーション(相操作)が可能であることを発見した。今回の発表では、フェイスマニピュレーションの詳細を報告し、その機構に関する彼らの考察ついても紹介する。

Reference  
Sagisaka et al., PRB, 71, 245319, (2005)