第3 発表者

松田　裕介　（清水研）

指導教官

加賀山　朋子

Title

Superconductivity in BaPb1-xBixO3 near the metal-semiconductor phase boundary under pressure

Abstract

The perovskite-type BaPb1-xBixO3 arouses much interest because of the high superconducting transition temperature (Tc 〜12 K at x = 0.25 〜 0.3), in spite of the low carrier concentration, the low density of states at the Fermi energy. It is also interesting that BaPb1-xBixO3 does not have 2-dimension nature unlike the other high Tc materials, for example copper-oxide superconductor and MgB2. So many studies about BaPb1-xBixO3 have done for clarification of the mechanism of superconductivity. In this report, the resistance of BaPb0.8Bi0.2O3 has been measured as a function of temperature at various pressures. The result show that the compound become more semiconductor-like with the application of pressure and Tc achieves a maximum near the metal-semiconducting transition point in the metallic phase. These pressure effects are very similar to Bi doping effect.

概要

　ペロブスカイト構造を持つBaPb1-xBixO3は、キャリア密度が低い、フェルミ準位における状態密度が低いにもかかわらず、 xが0.25 〜 0.3のときに約12 K（Tc）という高い温度で超伝導になるという興味深い特徴を持つ。また、他の高温超伝導体である銅酸化物やMgB2のように2次元の伝導面を持たないことも興味深く、その超伝導の発現機構解明のために様々な研究がなされてきた。 この論文で筆者らは圧力下でBaPb0.8Bi0.2O3の電気抵抗の温度依存性を測定した。その結果、圧力を加えていくことでより半導体的性質になっていく、Tcが金属−半導体転移の直前においてピークを持つなど、Biをドープしていったときと同じような効果が見られた。

Reference

M. K. Wu, et al., PHYS. REV. B 24 4075-4078 (1985).