発表者
奥本 健太郎（清水研究室）
指導教員
清水 克哉
Title
Electrical Resistivity of Tetramethyltetratelluronaphtalene Crystal at Very High Pressures - Examination of the Condition of Metallization of π Molecular Crystal
Abstract

For developing molecular metals, it is considered to be indispensable to generate the carrier by charge transfer between molecules forming conduction bands and other chemical species. Consequently, more than two chemical species are needed to develop molecular metals. (TTF)(TCNQ), (TMTSF)2PF6 (so-called charge transfer complex) are typical examples.

In order to examine the condition of pressure-induced metallization of the single-component π molecular crystals (not by charge transfer ), we have tried to measure　the four-probe resistivity of a crystal of π molecules, tetramethyltetra- telluronaphthalene(TMTTeN), by using a diamond anvil high-pressure cell up to 30 GPa in this experiment.

タイトル
超高圧力下におけるテトラメチルテトラテルロナフタレンの電気抵抗測定～π分子性結晶の金属状態の調査～
概要

分子性結晶を金属化させる為には、伝導体を形成している分子と他の化学種との間に電荷を移動させることによってキャリアーを発生させることが必要不可欠と考えられている。つまり、分子性金属には2種類以上の化学種が必要である。いわゆる電荷移動錯体と呼ばれる(TTF)(TCNQ), (TMTSF)2PF6がその典型的な例である。
　今回の実験では、上で述べた系ではない単一種で成り立っているπ分子性結晶の圧力誘起金属化を調べるために、高圧発生装置であるダイアモンドアンビルセルを用いてπ分子であるテトラメチルテトラテルロナフタレン(TMTTeN)の結晶に30 GPaまでの圧力をかけ、4端子電気抵抗測定を行った。

Reference(s)