発表者
高見 英史田中研究室
指導教員
指導教官:神吉 輝夫
Title
Substitutional doping and its effects on phase transition properties in VO2 thin film
Abstract

For years, vanadium dioxide (VO2) thin film has attracted much research interest because of the abrupt changes of its electrical properties accompanying the metal-to-insulator phase transition (MIT) at around 68[℃]. We achieved to shift the transition temperature toward the room temperature by doping tungsten (W) to apply it to the bolometer. And a sensitivity at 280[K] is -7[%/K] which is better than the bolometer on sale (-2[%/K]). In the colloquium, I’ll show you the paper which clarified the molybdenum (Mo) substitutional effects on physical properties in VO2. And then I’ll show you what to do next to know the details of the W doping effects.

タイトル
二酸化バナジウム(VO2)の相転移に対する原子置換効果の検証
概要

二酸化バナジウム(VO2)は68[℃]で電気的性質の急激な変化を伴いながら金属‐絶縁体転移を起こすことで知られ、長きにわたって多くの関心が持たれ続けている。VO2をボロメータへ応用させることを考え、我々はタングステン(W)をドープすることにより、相転移温度を室温へと変化させることに成功した。また280[K]における感度は-7[%/K]と、市販されているボロメータの感度-2[%/K]よりも優れている。今回のコロキウムではモリブデン(Mo)を原子置換することによりVO2の物性がどのように影響を受けたのかを明らかにしている論文を紹介し、Wをドープする効果を詳細に知るために、我々が次に何をすべきなのかを示す。

Reference(s)