Vanadium dioxide(VO2) ,which is known as a correlated electron material, undergoes metal-insulator transition(MIT) at near room temperature. The MIT can be controlled by various external forces. Strain is one of the important parameters to control it, typically using lattice mismatch between films and substrates. There have been no previous cases of MIT modulation through strain effect induced by electric control. If strength of strain is electrically controllable, it is expected for various applications, such as ultra-high sensitive IR sensor, memory devices, etc.. In this presentation, I will explain the relationship between strain effect and conductive properties and the device design.
強相関電子系材料の二酸化バナジウム（VO2）は様々な外場によって室温付近で金属絶縁体転移が起こるため応用に向けて盛んに研究されている。格子歪も相転移制御に関する重要な制御パラメータであり、従来は基板との格子ミスマッチが用いられてきた。一方で、歪みを電気的に制御し、相転移温度を変調できれば赤外線センサーや記憶素子など様々な応用例が考えられる。本発表では、歪効果とVO2の電気伝導性の関係を説明し、歪みを電気的に制御するためのデバイス設計についても述べる予定である。