発表者

堀　竜也（田中研）

指導教員

藤原　宏平

Title

Development of ferrite-based electronic-phase-change devices

Abstract

I will introduce current work.
I focused on ReFe₂O₄ (Re = Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, and Y) which is charge-ordered insulate state in room temperature. I'm trying to fabricate fied-effect-transistor structure with these materials, in order to realize metal-insulator transition by electrostatic carrier doping (in other word, to control the electronic phases by the electrostatic carrier doping.).

タイトル

フェライトを用いた電子相変化デバイスの開発

概要

電子相変化デバイスでは、流れているキャリアを制御することのみがメインの半導体デバイスとは異なり、 電子の安定的な配置が変化することにより物性が大きく変化するという特長をもつ。 このような物性の変化を用いると既存のデバイスより、高性能なデバイス・簡単な構造で動作するデバイス を作成することができる。 非常に魅力的で多くの分野への応用が期待される電子相変化デバイスであるが、 室温で動作するものはまだ少なく、今後の研究による発展が期待されている。

現在私は、室温で電荷秩序由来の絶縁状態にあるモット絶縁体ReFe₂O₄(ReはDyからLuまでの希土類元素及びY)に着目し、 電界効果を用いたキャリア数の外部制御を通し電子相の制御すなわち電界効果による絶縁体金属転移を試みる研究を行っている。よってその研究を紹介する。

References

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