Since strongly correlated manganites exhibit a huge resistance change associated with the insulator-metal transition (IMT) [1] , electrical control of IMT properties in manganite has been a central topic toward device application. I fabricated an electric double layer transistor utilizing (La,Pr,Ca)MnO3 (LPCMO) film, and measured the gate voltage dependence of the conductive properties. The application of positive (negative) gate voltage induced the changes of an IMT temperature and conductive properties corresponding to electron (hole) doping [2] in the LPCMO film.
強相関電子系マンガン酸化物は外場により巨大抵抗変化を伴う絶縁体金属転移[1] を引き起こす。電界を用いて巨大抵抗変化を制御することは、デバイス応用へ向けての課題である。私は、強相関電子デバイス実現に向け(La,Pr,Ca)MnO3薄膜を用いた電気二重層トランジスタを作製し、相転移特性の電界による制御を試みた。電界効果により、抵抗変化率と伴に絶縁体金属転移温度が任意方向にシフトした。これは化学元素置換に相当する電界効果による静電的なキャリアドープ[2] によるものであり、電界によって相転移特性がチューニング可能であることを示唆している。