発表者
池元 賢(吉田研)
指導教員
福島 鉄也
Title
defect physics of CuFeS2 chalcopyrite semiconductor
Abstract

CuFeS2 assumes a chalcopyrite crystal structure.the noteworthy feature of this material is that indicate stable anti-ferromagnetic and, have high néel temperature (TN=832K). When we dope vacancy to this material.Therefore, it makes ferromagnetic interaction more strong. We predict to get the transition of this material from anti-ferromagnetic to ferromagnetic.In this presentation, I will show the paper that find transition from anti-ferromagnetic to ferromagnetic in practice.Next, I’ll explain what phenomenon occur when we dope vacancy to this material by use of density of state.At the end, I’ll introduce whether we can dope vacancy or not,which site is easy to dope in by comparing formation energy between Cu-site and S-site.

タイトル
CuFeS2の欠陥物理
概要

CuFeS2はカルコパイライト構造をとる物質である、この物質の特徴として反強磁性であり、また高いネール温度(TN=853K)をもつとされている。この物質に欠陥を導入してやることによってホールが形成される。そうすることで強磁性的な相互作用が強くかかることになり反強磁性体から強磁性体に転移するのではないかという予測がなされている。今回、先行研究として実際に反強磁性体から強磁性体への転移が観測された論文を紹介し、私の研究ではCuFeS2に欠陥を導入した場合にどのようなことが起こるか状態密度を用いて説明する。また、実際に欠陥を導入できるのか、できるとするならばどのサイトにできやすいのかを形成エネルギーの比較によって紹介する。

References
  1. Phys. Rev. B 87, 020401(R)

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