Vanadium dioxide (VO2), which is a typical correlated electron material, shows metal-insulator transition (MIT) with drastic change in conductivity by various external forces such as heat, light, electric field, strain and others. VO2 is a promising material for leading novel electronic devices. In this material it is known that metallic and insulating domains often coexist randomly during the MIT and the configuration and ratio of these domains is important elements for macroscopic conductive behavior. In VO2 on Al2O3 or Si substrate, however, it is very difficult to investigate the configuration and ratio due to very small domain in size. In this presentation I will introduce an experimental case which demonstrates a determination of nano domain structure and control nano domain phases, and explain my future work.
強相関電子系材料である二酸化バナジウム(VO2)は熱、光、電界、ひずみ等の様々な外場によって金属-絶縁体転移が引き起こされるため様々なデバイス化への応用が期待されている。 また、転移温度付近において金属相と絶縁体相の２つのドメインが共存状態にあることが知られており、その配置や割合が電気伝導特性を決定する重要な要素となってくる。 しかしながら、サファイアやシリコン基板上のVO2においてドメインサイズが50nm程度と大変小さいことが分かってきており、個々のドメイン特性の観測や制御が非常に困難となっている。そこで本発表では、そのような微小なドメイン構造を観察し、そして制御した実験例を紹介し、今後の自分の研究への展開についての詳細な説明を行う。