CuInSe2, a prototype chalcopyrite semiconductor is higher absorption coefficient and create easier p- and n-type semiconductors than Si. So CuInSe2 is used as high efficient solar cell. Especially, vacancies of Cu can be doped much. We expect that CuInSe2 become conductor and superconductor with many doping.
In this paper, the authors calculate the defect formation energy. This results show low formation energy of Cu vacancies. I introduce the results of this paper.
カルコパイライト型構造半導体を代表するCuInSe2はSiに比べ光の吸収係数が高く、p型とn型半導体を作るのが容易であり変換効率が高い太陽光発電として使われている。とりわけCuの原子空孔によるアクセプタードーピングはかなりの濃度までドープできると知られている。なので高濃度にドーピングするとp型の伝導体になり、超伝導体なると期待できる。
この論文ではCuInSe2における欠陥ができるための形成エネルギーを理論計算している。その結果、Cuの原子空孔の形成エネルギーは小さく、欠陥ができやすいことが理論計算で示されておりその結果を紹介する。