Nitride semiconductor is an optical semiconductor material constituting the blue light emitting diode.C-plane growth of the polar face is mainly a device structure of a nitride semiconductor.It can not avoid a decrease in luminous efficiency because of polarization effect.In this paper , they use theoretical modeling to investigate the effect of polarization fields and non-radiative Auger recombination on the efficiency-droop and green-gap problems of polar and nonpolar nitride light-emitting diodes. I will introduce that the dependence of radiative and nonradiative recombination rates on electron-hole wave-function overlap is analyzed and finally connection with my research theme of solar cells.
窒化物半導体は青色発光ダイオードを構成する光半導体材料である。窒化物半導体のデバイス構造では極性面であるc面成長が主流であり、分極効果があるので発光効率の低下は避けては通れない。この論文では、効率低下の原因となる分極場と非輻射オージェ再結合の影響についてモデル計算している。また、輻射、非輻射再結合の確率は電子と正孔の重なり積分に依存しているということが分かっているので、それについて発表する。最後に私の研究テーマである太陽電池との繋がりについて述べる。