Vanadium dioxide (VO2) is a strongly-correlated electron materials whose electrons interact strongly with each other. VO2 is a promising material for electronic applications such as phase change memory and high speed switching devices by taking advantage of a drastic change of conductivity, i.e. Metal-insulator phase transition (MIT). In this study, we have tried to modulate the conductive property of VO2 nano-wire channels through an air gap-madiated electric field using double-side gate type field-effect transistor (FET). We found exotic memory effect induced by electrochemical reaction in air. I will talk about detail electronic properties and the mechanism.
電子同士の相互作用が強く働く、強相関電子系材料である二酸化バナジウム（VO2）は巨大抵抗変化（金属-絶縁体電子相転移）が起きることから、強相関電子メモリ、スイッチング等の電子デバイスへの応用が期待される。 本研究では、ナノインプリント法により作製したWサイドゲート型VO2ナノワイヤーチャネルFETを用いて、エアーギャップを介した電界効果によりチャネルの電気伝導変調を試みた。 本発表では、雰囲気の違いによる電気伝導変調についての詳細と、その原因について報告する。