発表者
近成 将(田中研)
指導教員
神吉 輝夫
Title
Electric field control of metal-insulator phase transition in single crystalline VO2 nano-wire channel
Abstract

Strongly-correlated electron materials show unique properties such as metal-insulator transition (MIT), high temperature superconductivity and colossal magnetoresistance by electrons being interacted strongly with each other. Among them, vanadium dioxide (VO2) is a promising material for electronics applications such as phase change memory and high speed switching devices using the MIT at around room temperature. In my presentation, I will explain the principle on the control of metal-insulator transition by electric field, so called Mott-transistor and introduce my research.

タイトル
単結晶VO2ナノワイヤーにおける金属絶縁体電子相転移の電界制御
概要

強相関電子系材料は、電子間の強い相互作用により特異な性質を示す物質であり、中でもモット絶縁体VO2は室温付近で金属-絶縁体相転移という巨大な抵抗変化が報告されており、相転移の前後の電気的性質を利用した巨大On-Off スイッチングや電子相変化メモリなど応用面で注目されている。発表では電界によるモット絶縁体の金属-絶縁体転移の制御原理について説明し、次いで自身の研究について紹介する。

References
  1. Hyun-Tak Kim, New Journal of Physics, 6 (2004) 52

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