Strongly-correlated electron materials show unique properties such as metal-insulator transition (MIT), high temperature superconductivity and colossal magnetoresistance by electrons being interacted strongly with each other. Among them, vanadium dioxide (VO2) is a promising material for electronics applications such as phase change memory and high speed switching devices using the MIT around room temperature. In this study, we have fabricated double side gate type field-effect transistors and tried to modulate channel resistance by an electric field effect. In my presentation, I will explain the difference of modulated conductive properties with crystalline of VO2, and report the analysis of the mechanism.
強相関電子系材料は、電子間の強い相互作用により特異な性質を示す物質であり、中でもモット絶縁体VO2は室温付近で金属-絶縁体相転移という巨大な抵抗変化が報告されており、相転移前後の電気的性質を利用した巨大On-Off スイッチングや電子相変化メモリなど応用面で注目されている。本研究ではWサイドゲート型FET構造を作製し、air gapを介した電界効果によるVO2チャネルの電気伝導変調を試みた。本発表では、VO2の結晶性の違いによる電気伝導変調についての詳細と、その解析について報告する。