In recent years, the perovskite semiconductor CH3NH3PbI3 has attracted much attention as material for inexpensive and high-efficient next-generation solar cells. However, it has toxic Pb and fragile CH3NH3, hence the search for substitute material is required. One of the substitutes is perovskite semiconductor CsSnI3, and the understanding of its physical property is required to increase its energy conversion efficiency. In this talk, I will show two results about CsSnI3 calculated by first-principles calculations. First, I calculated the condition of chemical potential μ that CsSnI3 synthesize stably. Second, I calculated the formation energies of five defects pairs, and searched for the easily formed defects pair.
近年、安価で高効率な次世代太陽電池の材料としてペロブスカイト半導体CH3NH3PbI3が注目を浴びている。しかし、有毒なPbや不安定なCH3NH3を含むため、代替物質の探索も望まれている。その1つがペロブスカイト半導体CsSnI3であり、エネルギー変換効率を上げるための物性の理解が求められている。本発表では第一原理計算によるCsSnI3についての2つの計算結果について報告する。まず、CsSnI3を安定に合成するための化学ポテンシャルμの条件を計算した。次に、5種類の格子欠陥ペアの形成エネルギーを計算し、形成されやすい欠陥ペアを探した。